项目 | 符号 | 单位 | TLP628 (传统 产品) | TLP188 (新产品) | 测试条件 | ||||
最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
正向电压 | VF | V | 1 | 1.15 | 1.3 | 1.1 | 1.25 | 1.4 | IF=10mA |
反向电流 | IR | μA | - | - | 10 | - | - | 10 | VR=5V |
集电极暗电流 | ICEO | nA | - | 10 | 200 | - | 10 | 200 | VCE=300V |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | V | 350 | - | - | 350 | - | - | IC=0.1mA |
发射极--集电极击穿电压 | V(BR)ECO | V | 7 | - | - | 7 | - | - | IE=0.1mA |
电流传输比 | IC/IF | % | 50 | - | 600 | 50 | - | (600) | IF=5mA, VCE=5V |
GB 级 | 100 | - | 600 | 100 | - | (600) | |||
饱和 CTR | IC/IF(sat) | % | - | 60 | - | - | 60 | - | IF=1mA, VCE=0.4V |
GB 级 | 30 | - | - | 30 | - | - | |||
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | V | - | - | 0.4 | - | - | 0.4 | IC=2.4mA, IF=8mA |
- | 0.2 | - | - | 0.2 | - | IC=0.2mA, IF=1mA |
用于比较的项目 | TLP628 (传统产品) | TLP188 (新产品) |
输出类型 | 单晶体管 | |
封装 | DIP4 [attach]556[/attach] | SO6(无卤素) [attach]557[/attach] |
工作温度范围 | -55~100 °C | -55~110 °C |
VCEO(最小值) | 350V | 350V |
IC/IF (@IF=5mA,VCE=5V) | 50~600% | 50~(600)% |
隔离电压(最小值) | 5000Vrms | 3750Vrms |
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