近日,我国南车株洲正式发布由我国自主研制的国内第一款高压高功率密度IGBT芯片及其模块,这标志着中国功率半导体器件行业IGBT技术达到了国际最高水平。 这是国内目前唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相。该产品具有耐压高、电流大,功率损耗低、动态性能好等优点,其各项技术均填补了国内行业空白。 IGBT中文名为“绝缘栅双极型晶体管”。此前,高压高功率密度IGBT技术几乎全部被国外少数几家企业垄断,国内还是一片空白,使得中国关键产业发展在很大程度上受制于人。从传统的电力、机械、矿冶,到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业,高压高功率密度的IGBT应用领域广泛,堪称现代功率变流装置的“心脏”和绿色高端产业的“核芯”。 目前,中国已成为世界上IGBT产品最大的消费市场,以高速动车组、大功率机车、新能源装备、电网为龙头的国内变频产业每年的IGBT需求量超过50亿元,而且每年以15%以上的速度增长。自2011年开始,南车株洲所对该项高端技术进行自主攻关,此次芯片研制的成功实现了中国在高端IGBT技术领域与国际先进水平接轨,对我国加强综合实力和提升国际地位具有重要意义。 |