电力电子 | 重磅：北方华创研发成功新一代二氧化硅干法去除设备

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北方华创微电子公司近期发布了应用于IC领域干法清洗二氧化硅的新型大产能、高性能、非等离子体干法去除设备Excor D630。该设备基于成熟的Polaris 8K平台构架，通过采用非等离子体干法去除技术，大幅提升了工艺性能，可更好地满足逻辑和存储器芯片制造领域先进制程的需求。

集成电路先进制造工艺进入14nm以后，器件由传统的平面结构改为立体栅结构，工艺复杂程度急剧增加，对去除工艺的要求也越来越高，传统湿法溶液清洗已经无法满足要求。干法去除设备(Dry clean)使用化学反应气体和催化剂直接与薄膜发生化学反应，通过工艺集成可实现精确的工艺过程控制，更高的底部清洗效率, 更适用于满足先进逻辑和存储市场的工艺需求，市场潜力巨大。北方华创微电子从2016年开始深入二氧化硅干法清洗技术的研发，经过自主研发与验证，该设备的工艺选择比、均匀性、颗粒和稳定性等技术指标均能满足国内先进工艺技术要求，并已凭借其优越的技术性能获得客户信任。

北方华创干法去除设备Excor D630主要具备以下三项优势：

1)宽选择比工艺窗口。为了满足不同的工艺应用要求，不同氧化硅(Thermal SiO2, FCVD SiO2, ALD SiO2, HDP SiO2, HARP, TEOS)、多晶硅、氮化硅的薄膜选择比需要可调。Excor D630设备具有宽选择比工艺窗口清洗技术，不仅能实现高选择比清洗，而且还能实现不同致密度的二氧化硅清洗一致性，完美匹配IC领域二氧化硅清洗的需求。

2)高效的小孔洞底部清洗技术。Excor D630设备使用化学气体清洗二氧化硅，具有清洗后表面无损伤，元素残留低，再氧化问题小，接触电阻低，底部清洗效率高等优势，极大地提升了器件的电学性能。

3)底部轮廓可调清洗技术。Excor D630设备清洗二氧化硅之后可以得到碗型、沟槽型、平坦型等结构，且能有效的控制碗型和沟槽型的弯曲程度，极大地满足了不同工艺的需求。

以上技术优势，可显著提升工艺性能、增大产能，有效降低客户的生产成本，为集成电路先进逻辑和存储器制造领域客户提供更高效的解决方案。