台积电将推氮化镓GaN手机快充晶片 挑战TI、恩智浦霸主地位

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晶圆龙头台积电先进制程技术再次向前大步跃进，看好快充电源管理IC市场潜力，协同合作伙伴戴乐格半导体(Dialog Semiconductor)，将于明年第1季推出首颗氮化镓(GaN)手机快充晶片，挑战快充晶片龙头德仪(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。

喧腾已久氮化镓制程，台积电终于宣布跨入氮化镓先进制程，为合作客户德商戴乐格量身打造，采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术，生产首颗氮化镓手机快充晶片，预计在明年第1季产出，该晶片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势，适用于手机及平板等行动快充，将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。

据悉，台积电在氮化镓领域布局已久，技术也相当成熟，不过，因客户考量成本及下游应用问题，对氮化镓制程需求不高，还是以传统硅制程为主，因此，台积电也仅能按兵不动、等待时机。如今手机快充应用逐渐浮上台面，手机晶片联发科及高通相继力推快充规格，展讯及海思也推出快充规格因应，而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手机的快充功能，苹果也将加入快充行列，快充市场逐渐成熟，台积电适时大展拳脚。

业界表示，采用氮化镓制程生产晶片除可应用于手机快充，还可大幅缩减笔电外接电源供应器体积，未来应用于伺服器、车用及智慧电网等市场商机庞大。因此，相关电源管理IC解决方案的国际晶片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早已备妥相关电源管理IC方案，推出晶片多以氮化镓制程生产，此次，台积电与戴格乐合作，除了挑战霸主地位，更展现台积电在氮化镓制程成熟技术，向相关电源管理IC厂客户招手。