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台积电将推氮化镓GaN手机快充晶片 挑战TI、恩智浦霸主地位

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发表于 2016-8-29 16:41:59 |显示全部楼层
晶圆龙头台积电先进制程技术再次向前大步跃进,看好快充电源管理IC市场潜力,协同合作伙伴戴乐格半导体(Dialog Semiconductor),将于明年第1季推出首颗氮化镓(GaN)手机快充晶片,挑战快充晶片龙头德仪(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。


喧腾已久氮化镓制程,台积电终于宣布跨入氮化镓先进制程,为合作客户德商戴乐格量身打造,采用6寸、0.5微米、650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术,生产首颗氮化镓手机快充晶片,预计在明年第1季产出,该晶片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势,适用于手机及平板等行动快充,将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。

据悉,台积电在氮化镓领域布局已久,技术也相当成熟,不过,因客户考量成本及下游应用问题,对氮化镓制程需求不高,还是以传统硅制程为主,因此,台积电也仅能按兵不动、等待时机。如今手机快充应用逐渐浮上台面,手机晶片联发科及高通相继力推快充规格,展讯及海思也推出快充规格因应,而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手机的快充功能,苹果也将加入快充行列,快充市场逐渐成熟,台积电适时大展拳脚。

业界表示,采用氮化镓制程生产晶片除可应用于手机快充,还可大幅缩减笔电外接电源供应器体积,未来应用于伺服器、车用及智慧电网等市场商机庞大。因此,相关电源管理IC解决方案的国际晶片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早已备妥相关电源管理IC方案,推出晶片多以氮化镓制程生产,此次,台积电与戴格乐合作,除了挑战霸主地位,更展现台积电在氮化镓制程成熟技术,向相关电源管理IC厂客户招手。
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